来源:格隆汇
格隆汇7月27日丨美光科技(MU.US)盘前涨超3%,报69.58美元。美光7月26日宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片,是HBM3的下一代产品,采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。美光表示,24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。
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格隆汇7月27日丨美光科技(MU.US)盘前涨超3%,报69.58美元。美光7月26日宣布推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片,是HBM3的下一代产品,采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。美光表示,24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。
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